VLIYaNIE TOKOV UTEChKI NA REZISTIVNOE PEREKLYuChENIE I PROTsEDURU FORMOVKI MEMRISTIVNYKh OKRAM-USTROYSTV

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций Al2O3/TiOx в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

作者简介

N. Andreeva

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Email: nvandr@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

E. Ryndin

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

D. Mazing

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

A. Usikova

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

A. Romanov

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

V. Ayvazyan

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

M. Petrov

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

参考

  1. L. Ye, Z. Gao, J. Fu et al., Front. Phys. 10, 839243 (2022).
  2. P. Yao, H. Wu, B. Gao et al., Nature 577, 641 (2020).
  3. F. Kiani, J. Yin, Z. Wang et al., Sci. Adv. 7, eabj4801 (2021).
  4. Y. Zhong, J. Tang, X. Li et al., Nat. Electron. 5, 672 (2022).
  5. C. Li, M. Hu, Y. Li et al., Nat. Electron. 1, 52 (2018).
  6. R. Wang, T. Shi, X. Zhang et al., Nat. Commun. 13, 2289 (2022).
  7. C. Li, D. Belkin, Y. Li et al., Nat. Commun. 9, 2385 (2018).
  8. J. Rupp, D. Ielmini, and I. Valov, Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations, Springer, Cham (2022), p. 383.
  9. W. Haensch, A. Raghunathan, K. Roy et al., Adv. Mater. 35, 2204944 (2023).
  10. M. Onen, T. Gokmen, T. K. Todorov et al., Front. Artif. Intell. 5, 891624 (2022).
  11. U. B¨ottger, M. von Witzleben, V. Havel et al., Sci. Rep. 10, 16391 (2020).
  12. M.L¨ubben, S.Wiefels, R.Waser et al., Adv. Electron. Mater. 4, 1700458 (2018).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025