VLIYaNIE TOKOV UTEChKI NA REZISTIVNOE PEREKLYuChENIE I PROTsEDURU FORMOVKI MEMRISTIVNYKh OKRAM-USTROYSTV

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций Al2O3/TiOx в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

Sobre autores

N. Andreeva

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Email: nvandr@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

E. Ryndin

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

D. Mazing

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

A. Usikova

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

A. Romanov

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

V. Ayvazyan

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

M. Petrov

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

Bibliografia

  1. L. Ye, Z. Gao, J. Fu et al., Front. Phys. 10, 839243 (2022).
  2. P. Yao, H. Wu, B. Gao et al., Nature 577, 641 (2020).
  3. F. Kiani, J. Yin, Z. Wang et al., Sci. Adv. 7, eabj4801 (2021).
  4. Y. Zhong, J. Tang, X. Li et al., Nat. Electron. 5, 672 (2022).
  5. C. Li, M. Hu, Y. Li et al., Nat. Electron. 1, 52 (2018).
  6. R. Wang, T. Shi, X. Zhang et al., Nat. Commun. 13, 2289 (2022).
  7. C. Li, D. Belkin, Y. Li et al., Nat. Commun. 9, 2385 (2018).
  8. J. Rupp, D. Ielmini, and I. Valov, Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations, Springer, Cham (2022), p. 383.
  9. W. Haensch, A. Raghunathan, K. Roy et al., Adv. Mater. 35, 2204944 (2023).
  10. M. Onen, T. Gokmen, T. K. Todorov et al., Front. Artif. Intell. 5, 891624 (2022).
  11. U. B¨ottger, M. von Witzleben, V. Havel et al., Sci. Rep. 10, 16391 (2020).
  12. M.L¨ubben, S.Wiefels, R.Waser et al., Adv. Electron. Mater. 4, 1700458 (2018).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025