Informaçao sobre o Autor
Shengurov, V. G.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 53, Nº 3 (2024) | INSTRUMENTATION | Development of the Ge-MDST instrument structure with an induced p-type channel | |
| Volume 54, Nº 4 (2025) | TECHNOLOGIES | MULTILAYER EPITAXIAL SILICON STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS GROWN BY SUBLIMATION MOLECULAR BEAM EPITAXI |