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ISSN 0544-1269 (Print)
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关键字 Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
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卷 54, 编号 4 (2025)

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作者的详细信息

Gusev, М. R.

期 栏目 标题 文件
卷 53, 编号 5 (2024) INSTRUMENTATION Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor
卷 54, 编号 3 (2025) INSTRUMENTATION Temperature characteristics of a simple current mirror on silicon high-voltage nLDMOS with a large DRIFT area
 


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