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ISSN 0544-1269 (Print)
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Palavras-chave Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
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Volume 54, Nº 4 (2025)

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Informaçao sobre o Autor

Бетелин, В. Б.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 52, Nº 5 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Volume 52, Nº 2 (2023) TECHNOLOGIES Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Volume 53, Nº 6 (2024) TECHNOLOGIES Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
 

 

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