MEKhANIZM MEZhZONNOY OZhE-REKOMBINATsII V InGaN/GaN KVANTOVYKh YaMAKh V PRISUTSTVII VSTROENNOGO P'EZOELEKTRIChESKOGO POLYa

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.

作者简介

D. Samosvat

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: samosvat@yandex.ru
Санкт-Петербург, Россия

V. Grishunov

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: vlad.grishunowf@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

G. Zegrya

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: zegrya@theory.ioffe.ru
Санкт-Петербург, Россия

参考

  1. J. Bhardwaj, J. M. Cesaratto, I. H. Wildeson et al., Phys. Status Solidi A 214, 1600826 (1999).
  2. P. M. Pattison, M. Hansen, and J. Y. Tsao, C. R. Phys. 19, 134 (2018).
  3. Y. Zhao, H. Fu, G. T. Wang, and S. Nakamura, Adv. Opt. Photon. 10, 246 (2018).
  4. G. Verzellesi, D. Saguatti, M. Meneghini et al., J. Appl. Phys. 114, 071101 (2013).
  5. L. Wang, J. Jin, Ch. Mi et al., Materials 10, 1233 (2017), doi: 10.3390/mal0111233.
  6. S. Karpov, Opt. Quant. Electron. 47, 1293 (2015).
  7. F. Bertazzi, M. Goano, and E. Bellotti, Appl. Phys. Lett. 97, 231118 (2010).
  8. E. Kioupakis, P. Rinke, K. T. Delaney, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 98, 161107 (2011).
  9. A. V. Zinovchuk and A. M. Gryschuk, Opt. Quant. Electron. 50, 455 (2018).
  10. M. Brendel, A. Kruse, H. Jonen et al., Appl. Phys. Lett. 99, 031106 (2011).
  11. H. Y. Ryu, K. S. Jeon, M. G. Kang et al., Sci. Rep. 7, 44814 (2017).
  12. C.-K. Tan, W. Sun, J. J. Wiener, and N. Tansu, AIP Adv. 7, 035212 (2017).
  13. I. Reklaitis, L. Krencius, T. Malinauskas et al., Semicond. Sci. Technol. 34, 015007 (2018).
  14. H.-Y. Ryu, H.-S. Kim, and J.-I. Shim, Appl. Phys. Lett. 95, 081114 (2009).
  15. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, L. Sulmoni et al., J. Appl. Phys. 109, 093106 (2011).
  16. M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
  17. G. G. Zegrya and V. A. Kharchenko, Sov. Phys. JETP 74, 173 (1992).
  18. A. S. Polkovnikov and G. G. Zegrya, Phys. Rev. B 58, 4039 (1998).
  19. J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti et al., Phys. Rev. Lett. 110, 177406 (2013).
  20. F. Bertazzi, M. Goano, Xiangyu Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 106, 061112 (2015).
  21. N. Anchal, A. Pansari, and B. K. Sahoo, AIP Conf. Proc. 2220, 050008 (2020).
  22. X. Li, E. DeJong, R. Armitage et al., Appl. Phys. Lett. 123, 112109 (2023).
  23. D. Jenkins, in Band Structure of InN, GalnN and AlInN, ed. by E. D. Series, Publisher, Address (1994), Vol. 11.
  24. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
  25. R. Vaxenburg, A. Rodina, E. Lifshitz, and A. L. Efros, Appl. Phys. Lett. 103, 221111 (2013).
  26. D. Samosvat, A. Karpova, and G. Zegrya, Appl. Phys. A 131, 99 (2025).
  27. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Sol. 1, 249 (1957).
  28. I.-J. Chen, S. Thorberg, and Y. Chen, in Calculation on the Band Structure of GaAs Using k · p-theory FFF 042, Publisher, Address (2014).
  29. A. Polkovnikov and R. A. Suris, Phys. Rev. B 62, 16566 (2000).
  30. H. Bateman and B. M. Project, Higher Transcendental Functions, Vol. I-III, McGraw-Hill Book Comp., Address (2023).
  31. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025