Construction of peripheral area of fingers of power RF LDMOS transistor

作者: Alekseev R.P.¹, Prolubnikov P.V.¹, Maltsev V.V.¹, Kurshev P.L.¹, Tsotsorin A.N.¹, Semeykin I.V.¹
隶属关系:
1. JSC “Scientific Research Institute of Electronic”
期: 卷 70, 编号 7 (2025)
页面: 664-671
栏目: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
URL: https://www.journal-ta.ru/0033-8494/article/view/692010
DOI: https://doi.org/10.7868/S3034590125070052
ID: 692010

如何引用文章

全文:

开放存取

开放存取

受限制的访问

##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问

受限制的访问

订阅或者付费存取

详细
作者简介
参考
补充文件
统计

详细

A review and study of the design options for the peripherals of RF LDMOS transistor fingers has been carried out. The study was carried out by means of 3D modeling in Sentaurus TCAD. As a result, the design variants allowing to provide the level of the drain-source breakdown voltage at the periphery not lower than in the working part of the finger were determined.

关键词

power RF transistors, LDMOS, transistor finger periphery, modeling, Sentaurus TCAD

作者简介

R. Alekseev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Email: arp@niiet.ru
Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

P. Prolubnikov

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

V. Maltsev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

P. Kurshev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

A. Tsotsorin

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

I. Semeykin

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

参考

Алексеев Р.П., Цоцорин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
Tкачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонтов Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2 498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7 521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeu- wen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450 802 B2. Publ. 28.05.2013.
Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10 886 39. Publ. 05.01.2021.

补充文件

附件文件

动作

1. JATS XML

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025

TOP